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2022.07.15
二氧化矽,奈米等級球形結構,是半導體封裝、銅箔基板填料的最佳選擇!!

微米/奈米球形二氧化矽,可降低樹酯與矽晶片熱膨脹係數的差異,是封裝材料、銅箔基板填料的最佳選擇!!

 

公隆化學提供各種高規格的微米/奈米球形二氧化矽材料,有效提升產品的附加價值。

 

  

 

產品型號

一次粒徑/D50

純度

FAA-0500

50nm

>99.9%

FAA-2000

200nm

>99.9%

FAA-5000

500nm

>99.9%

FAA-004U0

4-5um >99.9%

FAA-007U0

6-9um >99.9%

 

隨著科技的日益進步,微電子元件性能不斷提高,對封裝技術及封裝材料的要求越來越高,球形二氧化矽由於具有其他類型石英粉無法比擬的優越特性,正被逐步應用於大規模及超大規模集成電路的生產中,在電子信息技術領域發揮著越來越重要的作用。主要應用介紹如下:

1、電子封裝-


球形二氧化矽作為填充料可以極大提高製品剛性、耐磨性、耐侯性、抗衝擊、抗壓、抗拉性、耐燃性、良好的耐電弧絕緣特性和抗紫外線輻射的特性。用球形二氧化矽填充的環氧樹脂塑封料的導熱係數小,膨脹係數小,用作微電子元件基板及封裝的填充率可達到90%,可作為大規模、超大規模集成電路理想的基板材料和封裝材料。

而Mold underfill(MUF)兼具密封與保護晶片的功能,屬於底部填充,並能夠覆蓋IC和基板之間。採用MUF進行覆晶封裝,屬於密封處理且為一次製程封裝的底部填充物,由於需要使狹窄間隙的內部均勻,所以一般MUF主要皆是採用較細粉體填料( ≦10 μm)。隨著半導體製程演進及元件尺寸縮小之發展趨勢,晶片之電阻-電容之延遲效應會更加明顯,而球形二氧化矽之低介電特性(dk 3.8~4) 也是目前最受到重視的特點之一。可降低導線間距縮小,電荷或訊號傳遞時受束縛電荷延遲效應(電容效應),進而降低晶片之性能。

2、銅箔基板-


銅箔基板製造相關材料眾多,最常見的就是三大材料樹脂、銅箔、玻纖布。近年來,填料作為銅箔基板產品的一種添加材料,已經越來越重要,儼然變成了銅箔基板的第四大主材料。隨著無鉛兼容和無鹵化的要求,氫氧化鋁、二氧化矽等阻燃、 耐熱無機填料逐漸被應用在銅箔基板中。 球形二氧化矽因為具有高電絕緣性、高熱穩定性、耐酸鹼性、耐磨性等,作為功能填料應用於銅箔基板中,可以明顯改善銅箔基板的力學、熱學、和電學性能。還可以通過表面處理或者表面改性,增加與環氧樹脂的相容性,提高兩者的結合力,提高產品剛性等強度。

3、光纖通信-


光纖通信是一種現代化的通信手段,它可以提供大容量、高速度、高質量的通信服務。光纖通信所使用的光纜,其主要部件為光導纖維。 球形二氧化矽具有表面光滑、比表面積大、硬度大、化學性能穩定、膨脹係數小、滾動性好、機械性能優良等獨特的性能。隨著微電子工業的迅速發展,不僅要求其超細,高純度、低放射性元素含量的規格,特別是對於顆粒形狀提出了球形化要求。球形二氧化矽由於其有高介電、高耐熱、高耐濕、高填充量、低膨脹、低應力、低雜質、低摩擦係數等優越性能而成為製造光導纖維的優質原料。

用溶膠凝膠法sol-gel法所生產出來的球形二氧化矽,具有球形率高、單一粒徑分布等特色,使用於樹酯系統中,
可以改善成品的斷裂韌性、降低熱膨脹係數CTE、增加碳纖聚合物CFRP的強度模數剪切強度、使系統的流動性變好等等優點。

#球形二氧化矽 #低熱膨脹係數 #高填充率 #流動性佳 #電子封裝填料 #低介電常數

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