半導體業_切割反洗(CMP)
半導體業_切割反洗(CMP)簡介
晶圓切割與研磨廢水中存在細小微粒,如何降低該微粒為常見之問題。
*圖中為某廠晶圓研磨廢水化學沉澱池,細小懸浮物經妥善處理後已不再出現。
晶圓切割研磨為目前全平坦化的唯一技術,而其製程產生之廢水成份複雜。透過Neosorb解決方案,以一劑型粉體絮凝劑取代現有PAC/PAM,將水中懸浮細小微粒聚集成大顆粒而有效沉降,化沉池上澄液濁度由26.3NTU降至5.9NTU,大幅下降放流水中懸浮物。