半導體業_切割研磨(CMP/BG)
半導體業_切割研磨(CMP/BG)簡介
此類廢水中含有界面活性劑與砥粒(如SiO2等),微小懸浮物為常見的問題。
*圖中為新竹某機械研磨廠沉澱池上層液。界面活性劑的干擾造成處理不易。
化學機械拋光/平面化是通過化學和機械力的組合使表面平滑的過程。 它可以被認為是化學蝕刻和自由研磨拋光的複合技術。製程端界面活性劑的使用,造成處理系統出現問題,即使增加高分子劑量膠羽(汙泥)仍無法凝聚,過於細小。透過Neosorb®解決方案,膠羽(汙泥)可不受干擾而成形,減少汙泥溢流之情形,同時降低放流水懸浮微粒(SS)的濃度,確保放流水穩定達標。